當(dāng)前，AI芯片功耗持續(xù)攀升，CoWoS等主流封裝方案的硅中介層已觸及散熱極限，材料創(chuàng)新成為破解先進(jìn)封裝瓶頸的核心。據(jù)Fortune Business Insights數(shù)據(jù)，2025年全球先進(jìn)封裝市場規(guī)模達(dá)423億美元，預(yù)計(jì)2034年增至704億美元。高算力時(shí)代下，先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)迎來廣闊發(fā)展空間。

作為國內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域全產(chǎn)業(yè)鏈布局的主力軍，三安光電精準(zhǔn)切入碳化硅、金剛石等寬禁帶材料賽道，聚焦AR光學(xué)、中介層、熱沉三大核心方向，在先進(jìn)封裝領(lǐng)域構(gòu)建起獨(dú)特競爭優(yōu)勢，多項(xiàng)技術(shù)成果已進(jìn)入送樣或批量交付階段，為全球AI芯片效能提升提供重要樣本。

AR光學(xué)襯底：寬禁帶材料賦能，夯實(shí)光學(xué)封裝基礎(chǔ)

AR光學(xué)襯底方面，碳化硅折射率達(dá)2.7（傳統(tǒng)玻璃約2.0），熱導(dǎo)率超玻璃百倍，兼具優(yōu)異光學(xué)與導(dǎo)熱性能。三安光電具備Micro LED和碳化硅光學(xué)材料綜合服務(wù)能力，目前8英寸光學(xué)碳化硅襯底已通過客戶驗(yàn)證，12英寸產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)小批量交付，為AR設(shè)備性能升級提供核心材料支撐。

碳化硅中介層：精準(zhǔn)破解散熱痛點(diǎn)，適配高端AI封裝需求

碳化硅中介層可精準(zhǔn)破解散熱痛點(diǎn)，其熱導(dǎo)率約為硅的3倍，能使GPU結(jié)溫降低20–30°C，散熱成本下降約30%。目前，三安光電12英寸碳化硅襯底正配合頭部客戶開展下一代AI芯片封裝驗(yàn)證，有望成為先進(jìn)封裝方案的主流選擇。

熱沉領(lǐng)域：雙材料并行布局，滿足多元散熱需求

熱沉領(lǐng)域，三安光電采用金剛石、碳化硅雙路線并行，覆蓋多元散熱需求。其中，金剛石熱沉基板熱導(dǎo)率達(dá)2300W/(m?K)，在大功率激光器應(yīng)用中較陶瓷基板熱阻大幅降低，已通過1000小時(shí)老化測試并批量交付；碳化硅熱沉產(chǎn)品已完成送樣測試，逐步推進(jìn)商業(yè)化落地。

全鏈產(chǎn)能布局：筑牢供給保障，支撐技術(shù)規(guī)?；涞?/strong>

產(chǎn)能布局是技術(shù)落地的重要支撐，三安光電已構(gòu)建湖南、重慶兩大核心生產(chǎn)基地，形成從襯底到模塊的全鏈條自主制造能力。湖南基地6英寸碳化硅芯片月產(chǎn)能達(dá)16000片，8英寸襯底月產(chǎn)能1000片、外延月產(chǎn)能2000片，8英寸芯片產(chǎn)線已通線量產(chǎn)；重慶基地8英寸襯底月產(chǎn)能3000片，產(chǎn)能逐步釋放，補(bǔ)強(qiáng)大尺寸碳化硅材料供給。湖南三安的碳化硅二極管已形成覆蓋650V至2000V的全電壓產(chǎn)品梯度，累計(jì)出貨達(dá)4億顆，投產(chǎn)三年內(nèi)累計(jì)銷售收入近20億元，在國內(nèi)碳化硅功率器件市場具備領(lǐng)先產(chǎn)業(yè)實(shí)力，為先進(jìn)封裝材料產(chǎn)業(yè)化提供了堅(jiān)實(shí)的市場根基。

以寬禁帶技術(shù)為核，筑牢先進(jìn)封裝材料底盤。前瞻布局前沿新工藝，三安光電將持續(xù)領(lǐng)跑核心材料突破，以中國方案支撐全球AI芯片效能升級，驅(qū)動先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)向高端跨越。